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这种软开关方式可以显着地减小开关损耗，以及开关过程中激起的振荡，使开关频率可以大幅度提高，为转换器的小型化和模块化创造了条件。功率场效应管（MOSFET）是应用较多的开关器件，它有较高的开关速度，但同时也有较大的寄生电容。它关断时，在外电压的作用下，其寄生电容充满电，如果在其开通前不将这一部分电荷放掉，则将消耗于器件内部，这就是容性开通损耗。为了减小或消除这种损耗，功率场效应管宜采用零电压开通方式（ZVS）。绝缘栅双极性晶体管（InsulatedGateBipolartansistor，IGBT）是一种复合开关器件，关断时的电流拖尾会导致较大的关断损耗，如果在关断前使流过它的电流降到零，则可以显着地降低开关损耗，因此IGBT宜采用零电流（ZCS）关断方式。IGBT在零电压条件下关断，同样也能减小关断损耗，但是MOSFET在零电流条件下开通时，并不能减小容性开通损耗。谐振转换器（ResonantConverter，RC）、准谐振转换器（Qunsi-TesonantConverter，QRC）、多谐振转换器（Multi-ResonantConverter，MRC）、零电压开关PWM转换器（ZVSPWMConverter）、零电流开关PWM转换器（ZCSPWMConverter）、零电压转换（Zero-Voltage-Transition，ZVT）PWM转换器和零电流转换。裸板电源的价格咨询上海衡孚电子科技有限公司。上海裸板电源**知识

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使得原边功率开关q1两端电压下降，原边功率开关q1的体二极管会被导通。于是t4时刻原边功率开关q1两端压降为该体二极管的导通压降(约为)，该压降接近零。因此，前述根据本发明实施例的开关电源电路100实现了对原边功率开关的零电压(zvs)开通，降低了损耗。图4示出了根据本发明实施例的开关电源电路400。图4实施例示出了根据一个实施例的副边控制电路u1的电路结构示意图。在图4所示实施例中，所述副边控制电路u1包括：***副边信号产生器11，根据表征流经副边开关电路101电流的电流采样信号vcsr，产生***控制信号gsr1，用以控制副边开关电路101的续流；第二副边信号产生器12，产生第二控制信号gsr2，用以控制副边开关电路101的再次导通。在一个实施例中，当电流采样信号vcsr指示副边开关电路101上流过电流时，***控制信号gsr1控制副边开关电路101导通；当电流采样信号vcsr指示副边开关电路101上的电流为零或者接近零时，***控制信号gsr1控制副边开关电路101断开。在一个实施例中，所述开关电源电路400还包括：逻辑或电路13，对***控制信号gsr1和第二控制信号gsr2进行逻辑或运算，得到副边控制信号gsr，以控制副边开关电路101。在一个实施例中。

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